弊社がお客様のニーズにお答えしていく中で、御好評を頂き汎用の製品になったものをご紹介いたします。
もちろん弊社は受注製作品を基本としている為、各種仕様変更、追加など柔軟に対応可能です。

各種材料対応単結晶バルク成長装置 TA-SUB1

納入実績 京都工芸繊維大学共同研究センター
  独立行政法人 産業技術総合研究所  他

本装置は昇華法による高温単結晶バルク成長装置です。高周波誘導加熱方式により短時間で2400℃の加熱を実現し、弊社独自開発のマルチゾーン温度コントローラーを内蔵することにより温度勾配を電気的に制御することが可能となりました。
また、成長に必要な各プロセスは、シーケンサー制御により自動的に処理され、カラーグラフィック画面でモニタできます。また、必要に応じタッチパネルによる操作も可能です。

定格
加熱温度 2400℃(MAX3000℃)
ルツボ寸法 2~6インチルツボまで取付可能
回転速度 1~10rpm
ルツボ上下移動 電動方式
加熱コイル上下移動 上下 100mm(±50)設定温度による自動昇降
到達真空度 1×10-6 Torr台(容器のみ無負荷、常温時)
電源 3相210-400V 50-115kVA
冷却水 165リットル / min
設置面積 2120幅×2330奥×3400高さ

屋外設置型冷却装置(純水器内蔵)  CKT-Series

納入実績 京都工芸繊維大学共同研究センター
  独立行政法人 産業技術総合研究所
  大阪大学金属材料研究所
  株式会社デンソー基礎研究所  他
  • 本装置は、冷却塔、純水器、冷却水ポンプ、熱交換器、冷却水タンクを全て組み込んだ省スペース型オールインワンの装置です。
  • 冷却塔を冷凍機に積み換えることにより低温にも対応出来ます。
  • 屋外設置型ですので、室内の省スペース化がはかれます。
  • 純水器を組み込んでいますので、配管の錆、スケールの堆積がなく、径の細い配管も安心して使用できます。
  • 制御盤及び屋内操作用盤が組み込まれていますので、電源を送るだけで使用できます。

高純度化学的SiC成膜装置 TA-CVD1

納入実績 京都大学 他
  • 高温温度制御方式
    2000℃までの高温を高周波誘導加熱方式により短時間で無理なく加熱できます。
  • 断熱、安全対策設計
    断熱材の使用によりガス配管等への熱影響を最小限に押さえ研究者の安全対策も考慮した設計になっています。また、インターロックの充実により危険を回避できるよう設計されています。
  • 高品質部品の使用
    バルブ・継手・マスフローコントローラー等の部品は、過去の実績により信頼できる高品質部品のみを使用しています。
  • コンパクト設計
    配置を縦方向にとることにより、設置スペースを大幅に少なくし、研究室レベルの配置を可能にしました。

  定格

到達真空度 1.33×10-4 Pa台
到達温度 2000℃
本体寸法 1350×800×1750(H)
制御装置 寸法 : 550×660×1500(H)
  • タッチパネルによる入力方式
  • プログラムコントローラーにより真空圧、温度が自動制御可能